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Samsung presenta el chip V-NAND de 1 Tb para SSD comerciales

Samsung Electronics ha desarrollado un chip V-NAND de 1 terabit (Tb) que se utilizará para productos comerciales lanzados el próximo año, dijo la compañía.

El gigante de la tecnología de Corea del Sur acumulará 16 Tb para un solo paquete V-NAND con una capacidad de memoria de 2 terabytes (TB), dijo en la Cumbre de Memoria Flash en San Francisco.

El uso de paquetes aumentará significativamente la capacidad de memoria de las unidades de estado sólido (SDD), se dice.

Samsung también ha anunciado el SSD de factor de forma pequeño de próxima generación (NGSFF) para reemplazar el estándar SSD M.2 actual.

La compañía está probando un SSD NGSFF de 16 TB. Mide 30,5 mm x 110 mm x 4,38 mm, lo que permite cuatro veces la capacidad de memoria de un chasis de 1U utilizando M.2 o NGFF. Esto permitirá que los centros de datos hagan un mejor uso del espacio y sean de gran escala, dijo.

La empresa proporcionó un ejemplo de un sistema de servidor de referencia que ofrece 576 TB en un bastidor de 1U, utilizando 36 SSD NGSFF de 16 TB. El uso de racks de 2U alcanzará una capacidad de petabytes.

El SSD NGSFF comenzará la producción en el cuarto trimestre del año y completará la estandarización JEDEC en el primer trimestre de 2018 para su implementación.

Samsung también ha presentado el SZ985, un SSD que utiliza su tecnología Z-SSD para centros de datos y sistemas empresariales con una carga extremadamente alta y un alto consumo de datos, como el análisis y el almacenamiento de big data en tiempo real. Tiene 15 microsegundos de latencia de lectura, aproximadamente un séptimo de un SSD NVME.

A nivel de la aplicación, «el uso de Samsung Z-SSD puede reducir el tiempo de respuesta del sistema hasta 12 veces en comparación con el uso de SSD NVMe», agregó Samsung.

La compañía también ha introducido una nueva tecnología llamada Key Value SSD que, a diferencia de los procesos convencionales que convierten los datos en bloques, asigna una clave a ubicaciones de datos específicas. Permite el direccionamiento directo de una ubicación de datos, lo que reduce los pasos redundantes, lo que conduce a una entrada / salida más rápida y menores costos.

En junio, la compañía anunció la disponibilidad generalizada de V6 NAND de 64 capas y 256 Gigabit, su principal fuente comercial actual.

El conglomerado disfruta de una demanda extremadamente alta de DRAM y NAND, lo que ha ayudado a triplicar las ganancias de su negocio de semiconductores durante el segundo trimestre de este año.

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