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¿Cuánto afectará la tecnología 3D XPoint al almacenamiento flash?


A corto plazo, el próximo gran avance será el crecimiento continuo de V-NAND. Al igual que otras tecnologías 3D NAND, V-NAND funciona apilando verticalmente celdas NAND en un dado. Cuando se trata de avances a largo plazo, la tecnología 3D XPoint probablemente será más disruptiva para la industria del almacenamiento flash.

El principal problema con el almacenamiento flash que conduce a que las unidades tengan capacidades relativamente bajas es que existe un límite en el grado en que una celda se puede encoger. Esto significa que también hay un límite en la cantidad de celdas que se pueden colocar en un dado, sin aumentar el tamaño físico del dado. V-NAND y las tecnologías 3D NAND de la competencia solucionan este problema apilando las celdas verticalmente, lo que aumenta la capacidad de manera exponencial. Samsung ha logrado utilizar la tecnología V-NAND para crear una unidad flash de 16 TB.

El almacenamiento basado en 3D XPoint funcionará según un principio completamente diferente al del almacenamiento flash que se utiliza en la actualidad.

Intel está desarrollando la tecnología 3D XPoint, y lo que la hace tan notable es que el almacenamiento basado en 3D XPoint funcionará con un principio completamente diferente al del almacenamiento flash que se utiliza en la actualidad.

El almacenamiento flash basado en NAND funciona atrapando electrones en transistores y usando la presencia o ausencia de estos electrones para representar un cero o uno binario. La tecnología 3D XPoint no utiliza transistores. En cambio, la tecnología se basa en una red microscópica de cables. Cada punto de intersección entre dos cables puede almacenar un dato.

Lo que hace que la tecnología 3D XPoint sea tan emocionante es que debido a que no usa transistores, los dispositivos no están sujetos a las mismas limitaciones que el almacenamiento basado en transistores. Se ha pronosticado que la ausencia de transistores permitirá mayores capacidades de almacenamiento. Intel también ha dicho que el almacenamiento es aproximadamente 1.000 veces más rápido que parte del almacenamiento DRAM que se usa en la actualidad.

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